2017年3月22日，全国工业和信息化科技成果转化联盟在北京主持召开由成果方自主研发的“高性能第四代DRAM存储器”科技成果评价会。评价委员会听取了项目完成单位的技术总结报告，对项目资料进行了审查和质询，经讨论形成意见如下：
1．提供的资料齐全，符合评价要求。
2．该项目的主要技术特点和创新点如下：
(1)采用25nm DRAM工艺，开发出高性能第四代DRAM产品，设计容量为4Gbit18Gbit，接口覆盖x8、x16和x32，数据速率1866-3200Mbps，双供电电压分别不高于1.2V和2.5V。满足服务器、计算机、汽车电子、移动终端等应用需求。
(2)该项目产品符合国际JEDEC标准，并创新性地集成了内嵌自检测修复(ECC)技术，提升产品良率和可靠性，实现“即插即用”式替换。
(3)该项目产品支持循环冗余码校验、读写时序自动校准、数据/指令/地址基准电压校准和指令奇偶校验等技术。
3．公司已经形成较完整的DRAM存储器产品系列，SDR/DDR1/DDR2/DDR3接口产品均已实现量产销售，实现了国产化替代，客户反映良好。所研发的DDR2和DDR3接口DRAM存储器产品经中国电子技术标准化研究院塞西实验室检测，相关技术指标均符合国际JEDEC标准要求。
4．第四代DRAM存储器产品集成内嵌自检测修复(ECC)技术，拥有自主知识产权，技术水平达到国际先进。
评价委员会一致同意通过科技成果评价。
建议：尽快实现第四代DRAM存储器量产销售，加大国产化推广及国际市场开拓。
公司自主研发的DDR1-DDR3产品，其性能指标符合应用要求，对国家信息安全领域具有重大意义，公司积累的有贝宁器研发技术具有很高的技术水平与创新能力。
建议国家对公司重点支持，此项技术国内只此一家能掌握！
该项目开发的符合国际JEDEC标准的第四代DDR4，DRAM产品，填补了国内空白，达到了国际先进水平。尤其是自主创新的将ECC自纠错功能集成在产品中，而的能符合JEDEC标准的速率要求。
同意通过技术成果评价。
该公司从事DRAM系列产品的设计研发及推广工作，已获得国内外发明先进专利几十项，掌握核心技术，由于该产品长期由国外公司垄断，国内急需在此领域占有一席之地，所提供的高性能第四代DRAM存储器，自主内嵌ECC技术，产品完全符合JEDEC国际标准。可应用于国产智能终端，消费电子等领域，具备自主知识产权，预计有较大的市场空间。
西安紫光国际公司是国内3代存储器设计的公司，特别是在核高基和863的支持下研发DDR2/DDR3/DDR4产品填补国内空白，某些达到国际先进水平。
该项目产品达到了国内领先水平，其研发的内嵌自修复功能DDR4产品有较强的市场前景，产品质量稳定。但由于目前在量产上受制于产品生产线的制约，尚需在产品量化上进一步努力。在经更大量市场检验后再进一步提高产品的性能。
认为与国际标准有差距，但在国内同行领域达到先进领先水平。
建议不断创新，实现量产，满足市场需求。
DRAM技术是最重要的集成电路技术之一，而我国在DRAM设计制造上几近空白。该项目完成单位在高性能DRAM设计上实现了重要突破，完成了基于25nm制造技术的第四代DRAM设计，并完成了产品的流产，产品实现国产替代，受到用户好评。该项目产品设计创新新的集成了内嵌式检测修复技术，同时满足JEDEC标准，有突出的技术特点。该技术有效的提升了产品良率和可靠性。另外，在其他功能设计上有多项技术创新。该设计已实现批量生产，证明了技术的可行性。建议加大国产化推广，尽快实现大规模量产，为DRAM的国产替代做出贡献。
